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MDS70 Specificazioni tecniche

TRANS RF BIPO 225W 5A 55CX1

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 65V
Supplier Device Package 55CX
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.03GHz ~ 1.09GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 225W
Package / Case 55CX
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 10.3dB ~ 11.65dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
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Altri includenu   "MDS70"   parti

I seguenti parti includenu  'MDS70' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MDS70 Microsemi Corporation RF BJT Transistors
MDS70-16 ST IGBT Modules 2759
MDS70-24 MDS IGBT Modules 2537
MDS70TG080 IR IGBT Modules 2745

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