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MRF5812G Specificazioni tecniche

TRANS NPN 15V 200MA SO8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Supplier Device Package 8-SO
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1.25W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Noise Figure (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gain 13dB ~ 15.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V
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Altri includenu   "MRF58"   parti

I seguenti parti includenu  'MRF58' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MRF580 MOTO Specialized Hot ICs 10
MRF580A MOT Specialized Hot ICs 10
MRF581 Microsemi Transistors - Bipolar (BJT) - RF 9426
MRF581 Microsemi Corporation RF BJT Transistors
MRF5811T1G ON Specialized Hot ICs 3600
MRF5812 Microsemi Transistors - Bipolar (BJT) - RF 2663
MRF5812 Microsemi Corporation RF BJT Transistors
MRF5812G Microsemi Corporation RF BJT Transistors
MRF5812GR1 Microsemi Transistors - Bipolar (BJT) - RF 2629
MRF5812GR1 Microsemi Corporation RF BJT Transistors

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