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MT3S111(TE85L,F) Specificazioni tecniche

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6V
Supplier Device Package S-Mini
Packaging Original-Reel®
Other Names MT3S111(TE85LF)DKR
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 11.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 700mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Gain 12dB
Detailed Description RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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MT3S111(TE85L,F) Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per MT3S111(TE85L,F)

Altri includenu   "MT3S1"   parti

I seguenti parti includenu  'MT3S1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
MT3S105FS Toshiba Specialized Hot ICs 20207
MT3S106 TOSHIBA Specialized Hot ICs 43400
MT3S106FS Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 2000379
MT3S106FS IC Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 30476
MT3S106T TOSHIBA Specialized Hot ICs 3400
MT3S111 TOSHIBA Specialized Hot ICs 2884
MT3S111(TE85L TOSHIBA Specialized Hot ICs 2900
MT3S111(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 1946
MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA Specialized Hot ICs 2735
MT3S111(TE85LF) TOSHIBA Specialized Hot ICs 3500

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