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NE66219-A Specificazioni tecniche
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.3V |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 21GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 115mW |
Package / Case | SOT-523 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
Gain | 14dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 2V |
NE66219-A Ducumenti
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-
Datasheets
NE66219-A.pdf
Altri includenu "NE662" parti
I seguenti parti includenu 'NE662'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
NE66219-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE66219-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 33000 |
NE66219-T1-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE662M03 | NEC | Specialized Hot ICs | 4928 |
NE662M03-T1 | NEC | Specialized Hot ICs | 3425 |
NE662M03-T1-A | RENESAS | Specialized Hot ICs | 3381 |
NE662M04-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 2763 |
NE662M04-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE662M04-EVGA09 | CEL (California Eastern Laboratories) | RF Evaluation and Development Kits, Boards | 2669 |
NE662M04-EVGA09 | CEL | RF Boards |
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