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NE68019-A Specificazioni tecniche
RF TRANSISTOR NPN SOT-523
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
Manufacturer | CEL (California Eastern Laboratories) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 10GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-523 |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 2GHz |
Gain | 9.6dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 3V |
NE68019-A Ducumenti
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-
Datasheets
1.NE68019-A.pdf 2.NE68019-A.pdf
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Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
NE68000 | NEC | Specialized Hot ICs | 386 |
NE68018-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 2595 |
NE68018-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE68018-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 2649 |
NE68018-T1-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE68019-A | CEL | RF BJT Transistors | |
NE68019-T1 | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 2780 |
NE68019-T1 | CEL | RF BJT Transistors | |
NE68019-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | Transistors - Bipolar (BJT) - RF | 8802 |
NE68019-T1-A | CEL | RF BJT Transistors |
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