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SI4900DY-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4900
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 4.3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4900DY-T1-GE3-ND SI4900DY-T1-GE3TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A
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SI4900DY-T1-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI490"   parti

I seguenti parti includenu  'SI490' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI4900DY SI Specialized Hot ICs 72
SI4900DY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 1068
SI4900DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 161678
SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SI4900DY-T1-E3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 60310
SI4900DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2760
SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SI4901-B-GL SILICON Specialized Hot ICs 341
SI4901-GL SI Specialized Hot ICs 1099
SI4902DY VISHAY Specialized Hot ICs 2923

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