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SI4906DY-T1-E3 Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 20V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI4906DY-T1-E3TR SI4906DYT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6.6A 3.1W Surface Mount 8-SO
Base Part Number SI4906
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SI4906DY-T1-E3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI490"   parti

I seguenti parti includenu  'SI490' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI4900DY SI Specialized Hot ICs 72
SI4900DY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 1068
SI4900DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 161678
SI4900DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SI4900DY-T1-E3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 60310
SI4900DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2797
SI4900DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2760
SI4900DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SI4901-B-GL SILICON Specialized Hot ICs 341
SI4901-GL SI Specialized Hot ICs 1099

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