SI8900EDB-T2-E1 Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Series TrenchFET®
Power - Max 1W
Package / Case 10-UFBGA, CSPBGA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 1W Surface Mount 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Base Part Number SI8900
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI8900EDB-T2-E1TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A
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SI8900B-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) Data Acquisition - Analog to Digital Converters (ADC) 2556
SI8900B-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900B-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) Data Acquisition - Analog to Digital Converters (ADC) 1552
SI8900B-A01-GSR Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) Data Acquisition - Analog to Digital Converters (ADC) 2647
SI8900D-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) Data Acquisition - Analog to Digital Converters (ADC) 2685
SI8900EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 688
SI8900EDB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SI8901B-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) Data Acquisition - Analog to Digital Converters (ADC) 2526

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