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SIHP11N80E-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series E
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 12A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 440 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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SIHP11N80E-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SIHP1"   parti

I seguenti parti includenu  'SIHP1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SIHP10N40D VISHAY Specialized Hot ICs 10309
SIHP10N40D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2546
SIHP10N40D-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2534
SIHP10N40D-E3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHP10N40D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2503
SIHP10N40D-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2585
SIHP10N40D-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHP11N80E Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 20
SIHP11N80E-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHP12N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 9441

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