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SIHU6N65E-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 820pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package IPAK (TO-251)
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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SIHU6N65E-GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SIHU6N65E-GE3

Altri includenu   "SIHU6"   parti

I seguenti parti includenu  'SIHU6' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SIHU6N62E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 0
SIHU6N62E-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2709
SIHU6N62E-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHU6N65E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 999
SIHU6N65E-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHU6N80E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2710

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