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SIS890DN-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.5 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 802pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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SIS890DN-T1-GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SIS890DN-T1-GE3

Altri includenu   "SIS89"   parti

I seguenti parti includenu  'SIS89' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SIS890DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3056
SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIS890DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 5719
SIS892ADN-T1-E3 VISHAY Specialized Hot ICs 2511
SIS892ADN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 6316
SIS892ADN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 15408
SIS892DN-T1-E3 VISHAY Specialized Hot ICs 2559
SIS892DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 15045
SIS892DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 15045
SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors

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