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SQJ958EP-T1_GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 35W
Package / Case PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature Standard
Detailed Description Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A (Tc) 35W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1075pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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SQJ958EP-T1_GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SQJ958EP-T1_GE3

Altri includenu   "SQJ95"   parti

I seguenti parti includenu  'SQJ95' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SQJ951EP-T1-GE3 VISHAY Specialized Hot ICs 2115
SQJ951EP-T1_GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2510
SQJ951EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2662
SQJ951EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SQJ952EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2884
SQJ952EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SQJ956EP-T1-GE3 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 1020
SQJ956EP-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2648
SQJ956EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SQJ958EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays

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