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VS-GT100DA120UF Specificazioni tecniche

OUTPUT & SW MODULES - SOT-227 IG

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Modules
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package SOT-227
Power - Max 890W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Manufacturer Standard Lead Time 29 Weeks
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
IGBT Type Trench
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
Configuration Single
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 100A
Series HEXFRED®
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Single 1200V 187A 890W Chassis Mount SOT-227
Current - Collector (Ic) (Max) 187A
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Altri includenu   "VS-GT"   parti

I seguenti parti includenu  'VS-GT' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
VS-GT100DA120U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - IGBTs - Modules 0
VS-GT100DA120U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistors - IGBTs - Modules 2716
VS-GT100DA120U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTs Modules
VS-GT100DA120UF Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTs Modules
VS-GT100DA60U Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistors - IGBTs - Modules 2615
VS-GT100DA60U Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - IGBTs - Modules 2530
VS-GT100DA60U Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTs Modules
VS-GT100LA120UX Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistors - IGBTs - Modules 2637
VS-GT100LA120UX Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - IGBTs - Modules 2655
VS-GT100LA120UX Vishay Semiconductor Diodes Division IGBTs Modules

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