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PDTB113EQAZ
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PDTB113EQAZ Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1k |
Power - Max | 325mW |
Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
Frequency - Transition | 150MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
PDTB113EQAZ Ducumenti
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Datasheets
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Altri includenu "PDTB1" parti
I seguenti parti includenu 'PDTB1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
PDTB113EK | NXP | Specialized Hot ICs | 27413 |
PDTB113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2754 |
PDTB113EK,115 | NXP USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2592 |
PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113ET | PHILIPS | Specialized Hot ICs | 12443 |
PDTB113ET,215 | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2712 |
PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113ET215 | NXP | Specialized Hot ICs | 2595 |
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