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PDTB113ET,215
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PDTB113ET,215 Specificazioni tecniche
TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Manufacturer | Nexperia |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 1k |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Supplier Device Package | TO-236AB (SOT23) |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 1k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
PDTB113ET,215 Ducumenti
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Datasheets
PDTB113ET,215.pdf
Altri includenu "PDTB1" parti
I seguenti parti includenu 'PDTB1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
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PDTB113EK | NXP | Specialized Hot ICs | 27413 |
PDTB113EK,115 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2754 |
PDTB113EK,115 | NXP USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113EQAZ | Nexperia | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2702 |
PDTB113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113ES,126 | NXP Semiconductors / Freescale | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2592 |
PDTB113ES,126 | NXP USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113ET | PHILIPS | Specialized Hot ICs | 12443 |
PDTB113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Pre-Biased BJT Transistors | |
PDTB113ET215 | NXP | Specialized Hot ICs | 2595 |
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