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GCMX080B120S1-E1 Specificazioni tecniche

1200V | 80mΩ SiC MOSFET in SOT-227

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / SiC Power Module
Manufacturer SemiQ
Factory Lead Time 3 Weeks
VDS 1200 V
ID (TC=25C) 30 A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
RDS,on 77 mΩ
TJ,max 175°C
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GCMX080B120S1-E1 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per GCMX080B120S1-E1

Altri includenu   "GCMX0"   parti

I seguenti parti includenu  'GCMX0' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
GCMX003A120S7B1 SemiQ SiC Power Module 36451
GCMX005A120B3B1P SemiQ SiC Power Module 46532
GCMX005A120S7B1 SemiQ SiC Power Module
GCMX010A120B2B1P SemiQ SiC Power Module
GCMX010A120B3B1P SemiQ SiC Power Module 36950
GCMX010A120B3H1P SemiQ SiC Power Module 42001
GCMX020A120B2B1P SemiQ SiC Power Module 44122
GCMX020A120B2H1P SemiQ SiC Power Module 35874
GCMX020A120B3H1P SemiQ SiC Power Module 41200
GCMX020B120S1-E1 SemiQ SiC Power Module 45231

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