TK8A60DA(STA4,Q,M) Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVII
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta)
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Altri includenu   "TK8A6"   parti

I seguenti parti includenu  'TK8A6' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
TK8A60D TOS Specialized Hot ICs 6400
TK8A60DA TOSHIBA Specialized Hot ICs 33278
TK8A60DA K8A60DA Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 781
TK8A60DA(STA4.Q.M) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 58
TK8A60DA(STA4Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 60
TK8A60DA(STA4QM) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 2366
TK8A60EA TOSHIBA/ Specialized Hot ICs 6400
TK8A60V TOS Specialized Hot ICs 454
TK8A60V MOS Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 497
TK8A60V(S4V TOSHIBA Specialized Hot ICs 783

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