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DTC123EET1 Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Supplier Device Package SC-75, SOT-416
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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DTC123EET1 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per DTC123EET1

Altri includenu   "DTC12"   parti

I seguenti parti includenu  'DTC12' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
DTC123-JS ROHM Specialized Hot ICs 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTC123EE ROHM Specialized Hot ICs 3294
DTC123EE TL ROHM Specialized Hot ICs 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTC123EET1 ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors

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