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DTC123EEBTL Specificazioni tecniche
NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductors / Pre-Biased BJT Transistors |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | SC-89, SOT-490 |
Part Status | Active |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 20mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 2.2 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Time[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Frequency - Transition | 250MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 k Ω |
DTC123EEBTL Ducumenti
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-
Datasheets
Altri includenu "DTC12" parti
I seguenti parti includenu 'DTC12'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
DTC123-JS | ROHM | Specialized Hot ICs | 605 |
DTC123ECA T116 | LAPIS Semiconductor | Specialized Hot ICs | 600282 |
DTC123ECAHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2653 |
DTC123ECAHZGT116 | ROHM Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors | |
DTC123ECAT116 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 2693 |
DTC123ECAT116 | ROHM Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors | |
DTC123EE | ROHM | Specialized Hot ICs | 3294 |
DTC123EE TL | ROHM | Specialized Hot ICs | 29427 |
DTC123EET1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased | 30000 |
DTC123EET1 | ON Semiconductor | Pre-Biased BJT Transistors |
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