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DTC123ECAHZGT116 Specificazioni tecniche

NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SST3
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN - Pre-Biased + Diode
Series Automotive, AEC-Q101
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names DTC123ECAHZGT116TR
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 350mW Surface Mount SST3
Current - Collector Cutoff (Max) -
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DTC123ECAHZGT116 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per DTC123ECAHZGT116

Altri includenu   "DTC12"   parti

I seguenti parti includenu  'DTC12' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
DTC123-JS ROHM Specialized Hot ICs 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 600282
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTC123EE ROHM Specialized Hot ICs 3294
DTC123EE TL ROHM Specialized Hot ICs 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 30000
DTC123EET1 ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors

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